STGW30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGW30H60DFB
STGW30H60DFB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30H60DFB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 1200
子类别: Transistors
单位重量: 38 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 10,396

库存：
10,396
可立即发货
在途量:
8,400
预期 2026/10/8
27,000
预期 2026/11/7
生产周期：
22
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.6341 ¥26.63
¥15.142 ¥151.42
¥11.4921 ¥1,149.21
¥9.7632 ¥4,881.60
¥8.9383 ¥10,725.96
¥8.6897 ¥20,855.28

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