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STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 32.57 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGW30H65FB

制造商编号：

STGW30H65FB

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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STGW30H65FB 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥36.8041	¥36.80
	¥20.3513	¥203.51
	¥17.1195	¥1,711.95
	¥14.3058	¥8,583.48
	¥12.4074	¥14,888.88

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.75 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	260 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGW30H65FB
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	60 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	38 g

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数据表

STGW30H65FB 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce_(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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