STGW50H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW50H65DFB2-4
Price: 42.38 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGW50H65DFB2-4

制造商编号：

STGW50H65DFB2-4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	86 A
Pd-功率耗散:	272 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
单位重量:	4.430 g

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PCN

合规代码

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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