中国 - 标记 中国

请确认您选择的货币:

人民币
国际贸易术语：DDP
所有价格均包括关税和海关费用。

Bench Talk for Design Engineers

贸泽电子 - 博客

rss

Bench Talk for Design Engineers | The Official Blog of Mouser Electronics


除了氮化镓，快充技术还须关注哪些领域？
2022 年 4 月 13 日, 作者 Doctor M 分类 宽禁带
Doctor M
氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降，转换效率高，也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比，GaN材料电子饱和漂移速率更高，适合高频率应用场景，因而在电力电子应用中，GaN器件可以在MHz以上频率工作，大大减小了对外围电路中电感器件的要求，从而可以成倍减少设备体积，减少铜等高成本原材料的用量，在开关电源应用上，明显优于硅器件。
阅读更多 »

阅读 1074
标记: GaN, 电源, 快充电, 宽禁带

搜索

分类

推荐作者

所有作者

显示更多 显示更多
按日期查看博客

档案