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Bench Talk for Design Engineers

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Bench Talk for Design Engineers | The Official Blog of Mouser Electronics


GaN HEMT推动电机变革
2021 年 9 月 15 日, 作者 Steven Keeping 分类 All, 半导体, 电源, 宽禁带
Steven Keeping
对紧凑但功能强大的电机的需求为设计工程师带来了新的挑战。为了尽可能提高小型电机的功率输出，工程师们开始转向高压和高频工作。硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和集成栅极双极晶体管 (IGBT) — 它们都是传统开关模式逆变器（现代电机控制的重要组成部分）的基础 — 正在努力应对这些工作需求。有限的功率密度和击穿电压阈值限制了驱动电压，而高频工作所需的快速开关又推高了功率损耗，产生的结果就是效率低下、热量积聚。
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阅读 1540
标记: GaN, HEMT, 氮化镓, 电机, 电机驱动
宽禁带通往汽车电力电子系统之路
2021 年 7 月 15 日, 作者 Bonnie Baker 分类 All, 宽禁带, 汽车
Bonnie Baker
面向电动汽车 (EV)、混合动力汽车和汽油车的电力电子市场持续增长，其中的硅 (Si) 和宽禁带半导体器件，如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件，正在吸引着人们的极大兴趣。
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阅读 795
标记: ev, fhev, gan, hev, mhev, phev, si, sic, 车辆, 氮化镓, 低电压系列, 电动汽车, 硅, 过电压不平衡, 混合, 汽车, 碳化硅

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