BSZ160N10NS3GATMA1 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
33,249在途量
剪切带
¥16.2946
¥7.8196
¥6.9608
¥5.537
卷轴
¥4.7799
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
4,983在途量
剪切带
¥17.9444
¥11.2548
¥7.4354
¥5.8986
卷轴
¥4.6104
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel