SCTW35N65G2VAG

STMicroelectronics
511-SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
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数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
1 Channel
650 V
45 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
240 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
单位重量: 4.500 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 188

库存：
188 可立即发货
数量大于188的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥104.8866 ¥104.89
¥88.9197 ¥889.20
¥80.3995 ¥8,039.95
¥78.083 ¥46,849.80
¥72.4556 ¥86,946.72
3,000 报价

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