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DMC25D0UVT-7

Name: Diodes Incorporated DMC25D0UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC25D0UVT-7
Price: 5.78 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMC25D0UVT-7

制造商编号：

DMC25D0UVT-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 20V Enh Mode FET

数据表:

DMC25D0UVT-7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOT-26-6
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V, 30 V
Id-连续漏极电流:	400 mA, 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:	4 Ohms, 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	500 mV, 650 mV
Qg-栅极电荷:	700 pC, 21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	3.7 ns, 14.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.3 ns, 3.3 ns
系列:	DMC25
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	7.7 ns, 61.4 ns
典型接通延迟时间:	3 ns, 3.5 ns
单位重量:	8 mg

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数据表

DMC25D0UVT-7 数据表 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

特色产品

DIODES INCORPORATED

DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET

将两个MOSFET集成到单个PowerDI^®5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。

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2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管

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具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET

20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻R_DS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。

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库存量: 3,716

库存：: 3,716 可立即发货

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生产周期：: 40 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥6.5314	¥6.53
	¥2.9493	¥29.49
	¥2.5877	¥258.77
	¥2.2939	¥2,293.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5029	¥4,508.70
	¥1.3108	¥11,797.20
	¥1.2543	¥30,103.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

DMC25D0UVT-7

制造商： Diodes Incorporated

说明： MOSFET 20V Enh Mode FET

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