FFSH2065BDN-F085

Name: onsemi FFSH2065BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH2065BDN-F085
Price: 77.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FFSH2065BDN-F085

制造商编号：

FFSH2065BDN-F085

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 20A SIC SBD

数据表:

FFSH2065BDN-F085 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
配置:	Dual Anode Common Cathode
If - 正向电流:	20 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.38 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	42 A
Ir - 反向电流 :	40 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
系列:	FFSH2065BDN_F085
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	65 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
单位重量:	5.457 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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