FFSP15120A

onsemi
512-FFSP15120A
FFSP15120A

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 15A

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
15 A
1.2 kV
1.45 V
115 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
FFSP15120A
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 300 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
单位重量: 2.160 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

FFSP碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSP碳化硅肖特基二极管旨在充分利用碳化硅器件相对于硅 (Si) 器件的优势。FFSP碳化硅肖特基二极管具有更高的正向浪涌能力、更低的反向漏电流并且无无反向恢复电流。另外,这些碳化硅肖特基二极管还具有与温度无关的开关特性和出色的散热性能。这样可以提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

碳化硅肖特基二极管

安森美半导体碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的650V和1200V器件有各种电流和封装选项可供选择,非常适合用于下一代电源系统设计。

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案,设计用于现代电力电子应用。 安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。 这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装,如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3,可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。

库存量: 539

库存:
539 可立即发货
生产周期:
41 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.0712 ¥68.07
¥36.8945 ¥368.95
¥33.2559 ¥3,325.59
¥28.5325 ¥14,266.25
¥28.3743 ¥28,374.30
¥27.6285 ¥69,071.25