IS42S16400N-6BLI

Name: ISSI IS42S16400N-6BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S16400N-6BLI
Price: 52.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-IS42S16400N-6BLI

制造商编号：

IS42S16400N-6BLI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据表:

IS42S16400N-6BLI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM
存储容量:	64 Mbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	166 MHz
封装 / 箱体:	BGA-54
组织:	4 M x 16
访问时间:	5.4 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	348
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	80 mA

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.