IS43TR16128C-125KBL

Name: ISSI IS43TR16128C-125KBL
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR16128C125KBL
Price: 147.79 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-43TR16128C125KBL

制造商编号：

IS43TR16128C-125KBL

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V

数据表:

IS43TR16128C-125KBL 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR3
存储容量:	2 Gbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	800 MHz
封装 / 箱体:	BGA-96
组织:	128 M x 16
访问时间:	20 ns
电源电压-最小:	1.425 V
电源电压-最大:	1.575 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 95 C
系列:	IS43TR16128C
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	190
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	138 mA
单位重量:	229 mg

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数据表

IS43TR16128C-125KBL 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM采用小型BGA-96或BGA-78封装，提供高达2133Mbps的数据传输速率。ISSI DDR3 SDRAM提供64Mx16、128Mx8、128Mx16、256Mx8或256Mx16版本，特征包括双向差分数据闪控、执行写命令时每个字节的数据脱敏、4或8可编程突发长度，以及可编程CAS延迟。ISSI DDR3 SDRAM非常适合电信和网络、汽车和工业嵌入式计算等。

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.