MMBT5551W_R1_00701

Name: Panjit MMBT5551W_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WR100701
Price: 1.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-MMBT5551WR100701

制造商编号：

MMBT5551W_R1_00701

制造商：

Panjit

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

数据表:

MMBT5551W_R1_00701 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-323-3
晶体管极性:	NPN
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	160 V
集电极—基极电压 VCBO:	180 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	6 V
集电极—射极饱和电压:	200 mV
Pd-功率耗散:	200 mW
增益带宽产品fT:	300 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Panjit
集电极连续电流:	600 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:	80 V at 10 mA, 5 V
直流电流增益 hFE 最大值:	250 V at 10 mA, 5 V
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	5 mg

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数据表

MMBT5551W_R1_00701 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

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剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

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数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥1.7402	¥1.74
	¥1.03395	¥10.34
	¥0.62037	¥62.04
	¥0.44635	¥223.18
	¥0.38872	¥388.72
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.33109	¥993.27
	¥0.28137	¥1,688.22
	¥0.2486	¥2,237.40
	¥0.18984	¥4,556.16

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

MMBT5551W_R1_00701

制造商： Panjit

说明： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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