PJE138KTB89_R1_00701

Name: Panjit PJE138KTB89_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-PJE138KTB89R1701
Price: 3.07 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PJE138KTB89R1701

制造商编号：

PJE138KTB89_R1_00701

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

PJE138KTB89_R1_00701 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-89-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	350 mA
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	630 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	223 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	23 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	19.2 ns
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	6.2 ns
典型接通延迟时间:	2.2 ns
零件号别名:	PJE138KTB89
单位重量:	2.600 mg

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数据表

PJE138KTB89_R1_00701 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

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库存量: 3,755

库存：: 3,755 可立即发货

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生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3.4691	¥3.47
	¥1.5481	¥15.48
	¥1.3447	¥134.47
	¥1.00909	¥504.55
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥0.7119	¥2,847.60
	¥0.61246	¥4,899.68
	¥0.56274	¥13,505.76

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

PJE138KTB89_R1_00701

制造商： Panjit

说明： MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

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