SCS220AE2HRC11

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Mouser编号：

未分配

制造商编号：

SCS220AE2HRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 AECQ

数据表:

SCS220AE2HRC11 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247N-3
配置:	Dual
If - 正向电流:	20 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.55 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	76 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散:	160 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	450
子类别:	Diodes & Rectifiers
零件号别名:	SCS220AE2HR

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Specification Sheets

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管可提供600V的击穿电压，这个值远超过了硅SBD（肖特基势垒二极管）的上限。AEC-Q101二极管采用SiC材料，是PFC电路和逆变器的理想选择。此器件采用的技术降低了反向恢复电荷与开关损耗，可以最大程度缩小终端产品尺寸。它拥有650V-1200V的反向电压范围，1.2uA-260uA的连续正向电流，以及48W-280W的总功耗，采用TO-220、TO-247和TO-263封装，可在最高+175°C的高温环境下工作。