STGB30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STGB30H60DFB详情

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30H60DFB
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.380 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 采用先进的具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。 这些新 HB 器件在传导和开关损耗性能之间中取得折衷，使频率转换器的效率实现最大化。 VCE(sat) 温度系数稍正，参数分布紧密，因而并联运行更为安全。
了解更多

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
1,000
预期 2026/10/30
生产周期：
20
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥27.8771 ¥27.88
¥18.193 ¥181.93
¥12.656 ¥1,265.60
¥10.2604 ¥5,130.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥10.0909 ¥10,090.90
¥9.5146 ¥47,573.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。