NVH4L070N120M3S-IE

Name: onsemi NVH4L070N120M3S-IE
Brand: onsemi
SKU: 863-H4L070N120M3S-IE
Price: 137.62 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-H4L070N120M3S-IE

制造商编号：

NVH4L070N120M3S-IE

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4L
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	34 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	57 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	160 W
通道模式:	Enhancement
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8.8 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
封装:	Tube
产品:	MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	11 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	9.2 ns

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已选择的属性: 0

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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