XHP™ 2 1700V IGBT模块

英飞凌XHP™ 2 1700V IGBT模块是基于可扩展平台构建的高性能功率设备,针对严苛的大功率系统进行了优化。XHP 2封装采用低电感、多规格封装外壳,可最大限度降低寄生电感,并实现稳定、低干扰的开关性能。这些特性有助于在大电流应用中降低电压过冲和开关损耗。这些模块结合先进的TRENCHSTOP™IGBT技术和XT互连技术,可提供大电流密度、低饱和电压和强大的热循环能力,支持在最高+175°C的较高结温下可靠运行。大功率密度和可扩展机械设计支持在不同变流器平台中实现一致集成,同时保持高效率和长使用寿命。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 XHP LV
3在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 XHP LV
3在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray