2N7002AK沟道沟槽式MOSFET

Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET是采用沟槽MOSFET技术的小型表面贴装（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET）。这些AEC-Q101合规器件可在宽-55°C至+175°C结温范围内提供逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Nexperia MOSFET 2N7002AKS-Q/SOT363/SC-88
数据表
12,472库存量
剪切带
¥2.0679
¥0.90965
¥0.7119
¥0.62037
卷轴
¥0.54579
查看
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKW-Q/SOT323/SC-70
数据表
10,645库存量
剪切带
¥1.7402
¥0.76049
¥0.61246
¥0.43844
¥0.42149
卷轴
¥0.28928
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AK-Q/SOT23/TO-236AB
数据表
47,988预期 2027/10/22
剪切带
¥1.3221
¥0.67009
¥0.48025
¥0.34691
¥0.339
卷轴
¥0.25651
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
数据表
4,346预期 2027/7/2
剪切带
¥4.4635
¥3.0962
¥1.9549
¥1.2317
查看
卷轴
¥0.81021
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
数据表
4,600预期 2027/10/8
剪切带
¥3.1414
¥2.1244
¥1.3447
¥0.85202
查看
卷轴
¥0.5537
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel