STripFET II™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET II™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款采用STripFET™技术的功率MOSFET具有大电流和低RDS(on)。这些功率MOSFET具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这些STripFET™功率MOSFET是成熟的平面技术，适用于高效率、低压系统。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
数据表
2,379库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
数据表
1,420库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
数据表
384库存量
6,940在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel