CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1400V碳化硅 (SiC) G2 MOSFET采用TO-247PLUS-4回流焊封装。这些英飞凌MOSFET非常适合用于高输出功率应用,例如电动汽车 (EV) 充电、电池储能系统 (BESS)、商用/建筑/农业车辆 (CAV) 等。CoolSiC™ MOSFET G2 1400V技术是一项尖端技术,具有更好的热性能、更高的功率密度和更高的可靠性。该封装具有回流焊能力(可进行3次回流焊),能让热阻更低。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 550库存量
¥334.3331
¥241.6166
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE 224库存量
¥282.3079
¥225.9774
¥195.4561
¥185.0375
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 307库存量
¥176.0201
¥131.4303
¥113.6554
¥107.6099
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE 230库存量
¥157.7367
¥120.1868
¥100.0841
¥89.2474
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE 399库存量
¥131.2721
¥74.3653
¥63.6077
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET 238库存量
剪切带
¥257.4931
¥206.1233
¥178.2575
卷轴
¥178.2575
¥168.7429
最低: 1
倍数: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 349库存量
¥157.0813
¥90.6599
¥80.1509
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 342库存量
¥125.6447
¥95.6997
¥79.7328
¥70.9753
¥66.3423
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE 5库存量
480预期 2027/1/28
¥483.0637
¥412.0093
¥339.8814
最低: 1
倍数: 1
CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 94库存量
240在途量
¥143.9281
¥109.6778
¥91.4057
¥81.3939
¥76.0151
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 21库存量
1,440预期 2027/10/21
¥109.6778
¥81.7216
¥68.1616
¥53.0196
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC