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昴氏(上海)电子贸易有限公司
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电子元器件
半导体
分立半导体
晶体管
MOSFET
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半导体
分立半导体
晶体管
MOSFET
安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最大工作温度
Pd-功率耗散
商标名
封装
SMD/SMT
Through Hole
重置
HDSOP-16
TDSON-8
TFN-10
TO-220-3
TSON-8
TTFN-9
WHSON-8
WHTFN-9
WSON-8
重置
1 Channel
2 Channel
重置
80 V
100 V
≤
≥
重置
13 A
16 A
44 A
85 A
99 A
101 A
120 A
139 A
198 A
202 A
248 A
273 A
323 A
333 A
365 A
408 A
≤
≥
重置
1.1 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.57 mOhms
2 mOhms
2.05 mOhms
2.3 mOhms
2.55 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
3.4 mOhms
4 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
6.5 mOhms
8.3 mOhms
≤
≥
重置
2.2 V
2.3 V
3.8 V
3.9 V
4.1 V
≤
≥
重置
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
43 nC
44 nC
52 nC
69 nC
78 nC
89 nC
99 nC
106 nC
107 nC
133 nC
158 nC
168 nC
178 nC
211 nC
223 nC
≤
≥
重置
+ 150 C
+ 175 C
≤
≥
重置
2.5 W
3 W
3.8 W
36 W
100 W
167 W
214 W
217 W
278 W
300 W
313 W
333 W
375 W
≤
≥
重置
OptiMOS
重置
Cut Tape
MouseReel
Reel
Tube
重置
重置所有
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技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
MOSFET IFX FET > 60-80V
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies
受限供货情况
制造商零件编号
IPP023N08N5XKSA1
Mouser 零件编号
726-IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET IFX FET > 60-80V
了解更多
关于Infineon Technologies infineon optimos 5
的信息
数据表
受限供货情况
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.3 mOhms
20 V
3.8 V
133 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
MOSFET IFX FET > 60-80V
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
受限供货情况
制造商零件编号
IPP027N08N5XKSA1
Mouser 零件编号
726-IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET IFX FET > 60-80V
了解更多
关于Infineon Technologies infineon optimos 5
的信息
数据表
受限供货情况
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.7 mOhms
20 V
3.8 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
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