OptiMOS™ PD（供电）MOSFET

英飞凌OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFET非常适合用于USB-PD和快速充电器设计，支持短引线和快速报价响应时间。逻辑电平MOSFET采用PQFN 3.3mm x 3.3mm和SuperSO8封装，优化用于充电器和适配器25V至150V SMPS应用中的同步整流。逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压(VGS(th))，允许中低压MOSFET从4.5V或直接从微控制器驱动，从而减少应用中的元件数量。

结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
8,119库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
544库存量
5,000预期 2026/10/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
348库存量
25,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
数据表
25,005在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel