SIZ240DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
40 V
47 A, 48 A
8 mOhms, 8.4 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
15.2 nC, 14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Dual
下降时间: 5 ns, 10 ns
正向跨导 - 最小值: 39 S, 55 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns, 55 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns, 25 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 25 ns
单位重量: 143.050 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiZ240DT双N沟道40V (D-S) MOSFET

Vishay SiZ240DT双N沟道 40V (D-S) MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV功率MOSFET技术，在一个紧凑型PowerPAIR® 3.3mm2封装中集成了高侧和低侧MOSFET。SiZ240DT具有同类最佳的导通电阻和导通电阻时间栅极电荷，以及功率转换应用中采用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)。

PowerPAIR®双MOSFET

Vishay PowerPAIR®双MOSFET在单一紧凑型封装中集成了几款经过优化的MOSFET。这些采用单一封装的PowerPAIR双MOSFET占用更少的空间，并提供比单独的分立式器件更卓越的性能。通过在PowerPAIR封装内部连接两个MOSFET，可以简化布局，减少因PCB走线产生的寄生电感，从而提高效率。

库存量: 2,836

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥17.9444 ¥17.94
¥11.3339 ¥113.34
¥7.7066 ¥770.66
¥6.1698 ¥3,084.90
¥6.1246 ¥6,124.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.1754 ¥15,526.20
¥4.9833 ¥29,899.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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