功率MOSFET

Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技术，于1979年开发并推出首款六角形拓扑MOSFET。这些新开发的产品仅在四年后即取得了各种专利权，从那时起，大多数MOSFET制造商已经准许各类设计和工艺进入该市场。IR产品具有市场上同类产品中最低的MOSFET导通电阻，让功率转换子系统设计实现了出色的效率。IR将先进的硅技术与创新封装技术相结合。与采用相同占位的标准封装相比，IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封装可让每个器件最多承载20A的电流，从而提高了功率密度。IR的FlipFET®封装技术与标准的表面贴装焊接技术兼容，提供100％的硅与占位比，其性能与外形是其3倍大的传统封装相同，因此非常适合用于便携式电话或笔记本电脑等便携式设备。IR的DirectFET®封装支持通过封装顶部从板上吸走热量，从根本上改善了标准SO-8封装的热管理。因此，DirectFET MOSFET可以在为下一代微处理器供电的大电流电路中将电流密度提高一倍，同时将热管理成本降低一半。