Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

半导体类型
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结果: 51
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数量 RoHS
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
数据表
480在途量
最低： 1
倍数： 1

ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器 64Mb
数据表
960预期 2027/2/4
最低： 1
倍数： 1

ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
数据表
410预期 2027/2/4
最低： 1
倍数： 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns
数据表
956在途量
最低： 1
倍数： 1

ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
200预期 2027/3/19
最低： 1
倍数： 1

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500