碳化硅MOSFET

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CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压V_GS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

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结果: 45

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

重置所有

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库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

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零件编号

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥220.2709
53库存量
240预期 2026/10/8
新产品

制造商零件编号
IMZA120R012M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R012M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

53库存量

240预期 2026/10/8

¥220.2709

¥143.1032

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥169.8955
31库存量
480在途量
新产品

制造商零件编号
IMZA120R017M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R017M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

31库存量

480在途量

¥169.8955

¥114.5594

¥102.152

¥100.005

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥123.5768
132库存量
240预期 2026/10/29
新产品

制造商零件编号
IMZA120R026M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R026M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

132库存量

240预期 2026/10/29

¥123.5768

¥69.5628

¥68.2407

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥103.7227
118库存量
240预期 2026/10/8
新产品

制造商零件编号
IMZA120R034M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R034M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

118库存量

240预期 2026/10/8

¥103.7227

¥57.3249

¥54.2626

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥127.3849
18库存量
1,200在途量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R026M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

了解更多的信息

数据表

18库存量

1,200在途量

¥127.3849

¥83.4618

¥76.5914

¥70.8058

¥68.2407

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥219.7737
90库存量
2,000在途量

制造商零件编号
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

90库存量

2,000在途量

剪切带

¥219.7737

¥164.6071

¥151.2844

¥146.7418

卷轴

¥137.5549

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥135.0802
349库存量

制造商零件编号
IMBG120R022M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

349库存量

剪切带

¥135.0802

¥80.8967

¥80.8176

卷轴

¥76.5123

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥115.8024
1,641库存量

制造商零件编号
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,641库存量

剪切带

¥115.8024

¥66.2519

卷轴

¥61.7884

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥75.3597
1,757库存量

制造商零件编号
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,757库存量

剪切带

¥75.3597

¥41.1885

¥37.8889

卷轴

¥35.1543

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥56.50
511库存量

制造商零件编号
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

511库存量

剪切带

¥56.50

¥30.0241

¥27.5494

¥25.7301

卷轴

¥24.3176

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥48.2284
991库存量
1,000预期 2027/4/1

制造商零件编号
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

991库存量

1,000预期 2027/4/1

剪切带

¥48.2284

¥25.312

¥23.0746

¥20.8485

卷轴

¥19.6846

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥43.5954
5,094库存量

制造商零件编号
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

5,094库存量

剪切带

¥43.5954

¥22.6678

¥20.5999

¥18.193

卷轴

¥18.1139

最低： 1
倍数： 1
最大： 1,000

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥93.3832
210库存量
1,000预期 2026/11/5

制造商零件编号
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

210库存量

1,000预期 2026/11/5

剪切带

¥93.3832

¥53.3473

¥47.9798

卷轴

¥45.4147

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥69.6419
41库存量
2,000预期 2027/7/15

制造商零件编号
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

41库存量

2,000预期 2027/7/15

剪切带

¥69.6419

¥42.4315

¥36.0696

¥33.2559

卷轴

¥29.6964

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥603.6573
5,039在途量
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R004M2HXUMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R004M2HXU

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

5,039在途量

剪切带

¥603.6573

¥524.4217

¥438.7225

卷轴

¥438.7225

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥463.6277
492预期 2027/7/29
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R005M2HXU

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

492预期 2027/7/29

剪切带

¥463.6277

¥377.2731

¥337.0677

卷轴

¥337.0677

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥162.6974
730库存量
750预期 2026/9/28
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R017M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R017M2HXT

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

了解更多的信息

数据表

730库存量

750预期 2026/9/28

剪切带

¥162.6974

¥113.904

¥103.1464

¥96.276

卷轴

¥96.276

最低： 1
倍数： 1

: 750

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥87.7671
1,440预期 2026/9/16
新产品

制造商零件编号
IMZA120R053M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R053M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

1,440预期 2026/9/16

¥87.7671

¥48.138

¥44.4994

¥44.2508

¥41.6857

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥100.1745
1,992在途量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R040M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

了解更多的信息

数据表

1,992在途量

¥100.1745

¥57.4831

¥53.2682

¥53.1891

¥50.8726

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥77.6649
240预期 2026/10/29
新产品

制造商零件编号
IMZA120R078M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R078M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

240预期 2026/10/29

¥77.6649

¥54.6807

¥44.2508

¥36.3069

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
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