TK110N65Z,S1F

Toshiba
757-TK110N65ZS1F
TK110N65Z,S1F

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
商标: Toshiba
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 35 ns
系列: DTMOS VI
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 62 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Dtmosvi MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)= 0.033 Ω（典型值）)。这些器件具有650V漏源电压和57A漏极电流。DTMOSVI系列MOSFET具有高速开关特性和较低电容。这些MOSFET非常适合用于开关电源应用。

TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET

Toshiba TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET具有低漏极-源极导通电阻（RDS (ON)=0.902Ω（典型值））。该MOSFET具有高速开关特性和较低电容，增强模式下Vth=3V至4V（VDS=10V，ID=1.02mA）。它们非常适合用于开关电源应用。

650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。

供货情况

库存：
0

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在途量:
59
预期 2026/9/7
生产周期：
16
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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