NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 213.09 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVBG025N065SC1

制造商编号：

NVBG025N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

数据表:

NVBG025N065SC1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	106 A
Rds On-漏源导通电阻:	28.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	164 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	395 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	19 ns
系列:	NVBG025N065SC1
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	32 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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数据表

NVBG025N065SC1 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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