碳化硅MOSFET – Mouser

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SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC功率MOSFET

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。SCTW70N120G2V还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥165.6015 181库存量 600在途量	制造商零件编号 SCT020W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	181库存量 600在途量	¥165.6015 ¥98.1066	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥114.1526 20库存量 1,203在途量	制造商零件编号 SCT070W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 的信息	数据表	20库存量 1,203在途量订单发货日期制造商编号： SCT070W120G3-4AG 库存： 20 可立即发货在途量: 3 预期 2026/10/30 1,200 预期 2027/5/7 生产周期： 36 周	¥114.1526 ¥76.2637 ¥71.7098 ¥64.3535 ¥60.4663	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥121.3394 599预期 2026/12/14	制造商零件编号 SCT070HU120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package 了解更多关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 的信息	数据表	599预期 2026/12/14	剪切带 ¥121.3394 ¥83.2923 ¥73.3709 卷轴 ¥66.1728	最低： 1 倍数： 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥106.9545 无库存交货期 25 周	制造商零件编号 SCT070H120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 的信息	数据表	无库存交货期 25 周	剪切带 ¥106.9545 ¥79.7328 ¥66.4214 ¥59.2233 卷轴 ¥55.3361	最低： 1 倍数： 1 : 1,000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: ¥104.3894 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 SCT070W120G3-4 Mouser 零件编号 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 的信息	数据表	无库存交货期 36 周	¥104.3894 ¥77.7553 ¥64.7716 ¥57.7317	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement