高压MOSFET模块

Vishay高压MOSFET模块是采用SOT-227封装的功率模块,非常适合用于各类工商业应用。这些MOSFET模块包括采用ThunderFET®和TrenchFET®技术的单开关功率MOSFET,开关和导通损耗较低。这些高压MOSFET模块还包括采用全隔离式封装并具有低导通电阻、动态dV/dt额定值以及低漏极电容的功率MOSFET。这些功率MOSFET将快速开关性能、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高成本效益完美结合。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
Vishay Semiconductors MOSFET模块 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod 382库存量
¥249.8882
¥167.8276
最低: 1
倍数: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET 137库存量
¥318.7843
¥201.3321
¥196.4505
最低: 1
倍数: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 1.042 W VS-FC150SA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET 160库存量
¥263.6177
¥163.6127
¥155.0925
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 431 W VS-FC50LA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET 160库存量
¥221.1862
¥134.6621
¥126.3905
¥124.074
最低: 1
倍数: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 625 W VS-FC50SA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 100V 435A Module SOT-227 1,228库存量
¥235.5711
¥146.6514
¥142.0184
最低: 1
倍数: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 435 A 2.15 mOhms - 20 V, + 20 V 2.2 V - 55 C + 175 C 652 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
482在途量
¥251.8657
¥155.9174
最低: 1
倍数: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 400 A - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 909 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
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Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 113 A 27.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 833 W VS-FC100SA65