1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed  1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

结果: 24
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
990库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
数据表
661库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
数据表
688库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
862库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
数据表
644库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
409库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 16m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
790库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
460库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
314库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
367库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
430库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
数据表
874库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
109库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
220库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
382库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-247-4, Industrial
数据表
389库存量
900预期 2026/12/11
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-3, Industrial
数据表
1,059库存量
1,800预期 2026/10/2
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
58库存量
450预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
数据表
98库存量
450预期 2026/10/30
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-247-3, Industrial
数据表
870库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
695预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
761在途量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
760预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
450预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement