1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6设计用于实现高效率、低导通损耗和低开关损耗。这些TRENCHSTOP IGBT6具有如下特性：低栅极电荷、低电磁干扰 (EMI)、可轻松实现并联、在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。TRENCHSTOP IGBT6包括两个产品系列，即经优化实现了低导通损耗的S6系列以及具有更低开关损耗的H6系列。这些IGBT6是上一代HighSpeed3 H3 IGBT的即插即用型替代器件，且简单易用。TRENCHSTOP IGBT6采用沟槽和场终止技术，具有软恢复和快速恢复反向并联二极管。得益于V_CEsat中的正温度系数，这些1200V TRENCHSTOP IGBT6可轻松实现并联。典型应用包括工业UPS、能量存储、三级太阳能电池组、逆变器和焊接。