FOD8802 OptoHiT™光电晶体管光电耦合器

安森美半导体FOD8802 OptoHiT™光电晶体管光耦合器采用安森美半导体领先的专有工艺技术。这样即可实现高达125°C的高工作温度性能。该光耦合器由两个通过光耦合到两个光电晶体管的砷化铝镓 (AlGaAs) 红外发光二极管组成。它们采用小外形、8引脚SOIC封装。该器件在整个温度范围内以非常低的输入电流提供一致的电流传输比。

结果: 3
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
通道数量
绝缘电压
输出类型
电流传输比（最小值）
电流传输比（最大值）
If - 正向电流
Vf - 正向电压
最大集电极/发射极电压
最大集电极电流
最大集电极/发射极饱和电压
上升时间
下降时间
Vr - 反向电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi FOD8802DR2
onsemi 晶体管输出光电耦合器 8SO 2-CH TR
数据表
3,882库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 70 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Reel, Cut Tape
onsemi FOD8802A
onsemi 晶体管输出光电耦合器 8SO 2-CH TR
数据表
2,607库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 65 % 150 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube
onsemi FOD8802C
onsemi 晶体管输出光电耦合器 8SO 2-CH TR
数据表
31库存量
3,000预期 2026/12/1
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 140 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube