NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩,采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Texas Instruments MOSFET 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A 交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B 无库存交货期 16 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 3 W NexFET Reel
Texas Instruments MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT 交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel