MOSFET – Mouser

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标准N沟道HiPerFET™功率MOSFET

IXYS标准N沟道HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。这些器件采用快速内在二极管，具有低栅极电荷和出色的耐用性。这些器件采用许多标准行业封装（包括隔离型）。

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Vds-漏源极击穿电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds IXFP3N120 IXYS 1: ¥96.1969 415库存量	制造商零件编号 IXFP3N120 Mouser 零件编号 747-IXFP3N120	IXYS	MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	415库存量	¥96.1969 ¥55.7542 ¥49.6296 ¥47.8894	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds IXFA3N120 IXYS 1: ¥81.3939 1,528库存量	制造商零件编号 IXFA3N120 Mouser 零件编号 747-IXFA3N120	IXYS	MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	1,528库存量	¥81.3939 ¥58.3193 ¥54.8389	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 600V 44A IXFX44N60 IXYS 1: ¥264.8607 300工厂有库存	制造商零件编号 IXFX44N60 Mouser 零件编号 747-IXFX44N60	IXYS	MOSFET 600V 44A 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	300工厂有库存更多信息可用	¥264.8607 ¥216.1351 ¥192.2356	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	130 mOhms	20 V	4.5 V	330 nC	- 55 C	+ 150 C	560 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET IXFA3N120 TRL IXFA3N120-TRL IXYS 800: ¥58.3193 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 IXFA3N120-TRL Mouser 零件编号 747-IXFA3N120-TRL	IXYS	MOSFET IXFA3N120 TRL 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 36 周	卷轴 ¥58.3193	最低： 800 倍数： 800 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement		Reel
	MOSFET IXFA3N120 TRR IXFA3N120-TRR IXYS 800: ¥58.3193 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 IXFA3N120-TRR Mouser 零件编号 747-IXFA3N120-TRR	IXYS	MOSFET IXFA3N120 TRR 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 36 周	卷轴 ¥58.3193	最低： 800 倍数： 800 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement		Reel
	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXFK180N07 IXYS 25: ¥150.5386 无库存交货期 26 周	制造商零件编号 IXFK180N07 Mouser 零件编号 747-IXFK180N07	IXYS	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 26 周	¥150.5386 ¥116.7968	最低： 25 倍数： 25			Si	Through Hole	TO-264-3	N-Channel	1 Channel	70 V	180 A	6 mOhms	20 V			- 55 C	+ 150 C	560 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXFR180N07 IXYS 1: ¥173.8731 无库存	制造商零件编号 IXFR180N07 Mouser 零件编号 747-IXFR180N07	IXYS	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	无库存	¥173.8731 ¥129.8596 ¥112.2429 ¥106.2878 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	70 V	180 A	6 mOhms	20 V			- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 600V 38A IXFR44N60 IXYS 300: ¥217.9544 无库存交货期 31 周	制造商零件编号 IXFR44N60 Mouser 零件编号 747-IXFR44N60	IXYS	MOSFET 600V 38A 了解更多关于IXYS standard hiperfet power mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 31 周	¥217.9544 报价报价	最低： 300 倍数： 30			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	38 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	330 nC	- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	HiPerFET	Tube