SuperFET® V MOSFET

安森美SuperFET® V MOSFET是第五代高压超级结(SJ)MOSFET。这些器件具有同类最佳的品质因数(FOM)(RDS(ON)· QG 和RDS (ON)· EOSS),不仅可提高重负载,还可提高轻负载效率。600V SuperFET V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势,同时支持极端MOSFET dVDS/dt额定值(120V/ns)。SuperFET V MOSFET快速系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。SuperFET V MOSFET Easy Drive系列兼具出色的开关性能,同时又不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型应用包括电信、云系统和工业。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

onsemi MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3 525库存量
¥91.6543
¥53.8445
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR 3,000库存量
剪切带
¥75.1902
¥47.7312
¥40.6122
卷轴
¥40.6122
最低: 1
倍数: 1
最大: 300
: 3,000
Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK 2,322库存量
剪切带
¥28.7811
¥14.4753
¥13.0741
¥10.5881
¥10.509
卷轴
¥9.7632
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3 738库存量
¥59.7205
¥32.2615
¥29.8659
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
449预期 2027/2/16
¥65.2575
¥34.7362
¥33.5836
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube