QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管

Qorvo  QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式  碳化硅基氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。这些器件具有59dBm的饱和输出功率、18dB的大信号增益和70%的漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配,可实现最佳性能,支持连续波和脉冲操作。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 技术
Qorvo GaN 场效应晶体管 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl 11库存量
¥19,236.4646
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan 无库存交货期 20 周
¥19,236.4646
最低: 18
倍数: 18
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC