NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 420

库存：
420 可立即发货
生产周期：
45 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥83.959 ¥83.96
¥58.7261 ¥587.26
¥51.9461 ¥6,233.53
¥48.2284 ¥24,596.48

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 14 ns
系列: NTH4L060N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi)  NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。MOSFET具有 低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。 

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

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