UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
数据表
4,703库存量
剪切带
¥20.2609
¥13.0741
¥8.8479
¥7.0738
卷轴
¥5.4918
查看
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=170W F=1MHZ
数据表
4,603库存量
剪切带
¥25.4815
¥12.656
¥11.413
¥9.266
查看
卷轴
¥8.2716
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
数据表
2,647库存量
剪切带
¥13.2323
¥6.2263
¥5.537
¥4.3392
查看
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
数据表
4,039库存量
剪切带
¥11.0853
¥5.1754
¥4.5878
¥3.5708
查看
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 40V 150A
数据表
4,773库存量
5,000预期 2026/10/5
剪切带
¥21.0067
¥10.2604
¥9.0174
¥7.2998
查看
卷轴
¥5.876
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
数据表
15,000预期 2026/10/19
剪切带
¥18.9388
¥10.8367
¥8.2038
¥6.5314
卷轴
¥5.4466
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape