LPDDR4内存

Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 类型
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封装 / 箱体
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电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Micron MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
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2,560库存量
160在途量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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385库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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75库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT
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939库存量
4,160预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
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1,642库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
: 2,000

SDRAM - LPDDR4 TFBGA-200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
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826库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 2 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
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无库存交货期 53 周
最低： 1,280
倍数： 1,280
最大： 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 140S Tray