TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 54.31 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

757-TK095N65Z5S1F

制造商编号：

TK095N65Z5,S1F

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

数据表:

TK095N65Z5,S1F 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	230 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	40 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	95 ns
典型接通延迟时间:	75 ns

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Dtmosvi MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (R_DS(ON)= 0.033 Ω（典型值）)。这些器件具有650V漏源电压和57A漏极电流。DTMOSVI系列MOSFET具有高速开关特性和较低电容。这些MOSFET非常适合用于开关电源应用。

TK095N65Z5硅N沟道(DTMOSVI) MOSFET

Toshiba TK095N65Z5硅N沟道 (DTMOSVI) MOSFET是一款采用TO-247封装的650V、95m Ω 高速MOSFET。TK095N65Z5设计用于开关稳压器应用，具有快速恢复时间（典型值为115ns）和低漏源导通电阻（典型值为0.079Ω 。）该MOSFET具有高速开关特性和低电容。