功率MOSFET

YAGEO XSemi 功率MOSFET采用先进的加工技术 具有低导通电阻、 效率和成本效益。YAGEO XSemi 功率MOSFET提供多种封装,以满足不同应用的需求。该器件采用的封装广泛用于商业和工业应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1,664库存量
6,000预期 2027/1/12
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 524库存量
6,000预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
4,000预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
2,955预期 2026/10/27
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel