N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET的性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能等领域提供最佳性能。该系列MOSFET适用于硬开关和软开关拓扑结构。硬开关优化型器件具有出色的米勒比率、FOM和RDS(on)。软开关优化型MOSFET具有超低RDS(on)和FOMQg。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
数据表
4,714库存量
6,000预期 2026/12/10
最低： 1
倍数： 1
: 6,000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 460 A 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
14,685库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,918库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
数据表
3,969库存量
6,000预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1
: 6,000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 440 A 460 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,201库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,975库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,897库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,965库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,710库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,958库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape