车用U-MOSX-H MOSFET

Toshiba 车用U-MOSX-H MOSFET符合AEC-Q101标准,具有低漏极-源极导通电阻。U-MOSX-H具有低漏电流IDSS=10µA(最大值)(VDS=100V)。该器件非常适合用于汽车、开关电压、稳压器、直流-直流转换器和电机驱动器等应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ 3,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ 2,756库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,202库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
5,000预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel