N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作，采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式下，单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用，以访问这些器件内的数据。 在 DUAL 模式下，使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。 在四路模式式下，四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用，以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作，采用 8 引脚 TSSOP 封装。
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结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 存储容量
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接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 1.8V HOLD FUNCT
数据表
1,179库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 静态随机存取存储器 1MB UltraLow Pwr Serial 静态随机存取存储器
数据表
1,941库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 130

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 1.8V HOLD FUNCT
数据表
190库存量
最低： 1
倍数： 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT
数据表
120库存量
1,000预期 2026/12/22
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT
数据表
6库存量
21,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 3,000
: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3.V HOLD FNC TSSOP
数据表
5,993预期 2026/12/22
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel, Cut Tape, MouseReel