结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W NXH008P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray