采用D2-PAK封装的UF3C碳化硅FET

Qorvo UF3C碳化硅FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装，基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复性能。在共源共栅电路配置中，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，形成常关型SiC FET器件。这些碳化硅FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，可实现0V至15V驱动。这些D2-PAK碳化硅FET器件具有ESD保护功能，封装爬电距离和电气间隙为 >6.1mm。场效应晶体管的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、硅场效应晶体管、SiC MOSFET或Si超级结。它们有1200V和650V漏源击穿电压型号可供选择，非常适用于任何受控环境，如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动器和感应加热。