UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET

onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是一个高性能系列，具有业界最佳的性能指标。UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、可再生能源、储能、电焊机、UPS和感应加热应用中主流800V总线架构的理想选择。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 选项，该系列基于独特的共源共栅配置，其中高性能SiC JFET与共源共栅优化的Si-MOSFET共同封装，产生标准的栅极驱动SiC器件。这一特性可实现灵活的设计，无需改变栅极驱动电压，轻松取代硅IGBT、硅FET、SiC FET或硅超级结器件。

结果: 11
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24
数据表
673库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
数据表
388库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
数据表
759库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
数据表
624库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
数据表
513库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO26
数据表
156库存量
800预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
数据表
277库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UF4C120053B7S
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UF4C120070B7S
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO24
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET