碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

分离式半导体类型
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数量 RoHS 产品类型
技术
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封装 / 箱体
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
1,000预期 2026/7/23
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
695预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
数据表
870预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
数据表
2,738预期 2026/8/14
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A
数据表
862预期 2026/9/4
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
数据表
450预期 2026/9/25
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3
数据表

SiC MOSFETS SiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive
数据表

SiC MOSFETS SiC TO-247-4